DDR2和DDR3有什么区别？DDR2和DDR3的区别

DDR2和DDR3的区别

DDR2不同于DDR3的扩展槽，DDR3比DDR2频率快，速度快，携带方便，性能高。

与DDR2运行内存相比，DDR3运行内存实际上只是规格和型号的改进，没有真正全面替代的新架构设计。与DDR2相比，DDR3触摸针的数量为240pin。但是防错的缺口位置不同。DDR3适用于大空间内存，大空间内存的边界点为4GB，4GB是32个软件的限制（无论PAE等内存印象，因为32个智能延伸只是连接方法，也会降低效率，不能成为零售市场的技术流行），当市场需求超过4GB时，64个CPU和计算机操作系统是唯一的解决方案，这实际上是DDR3运行内存的兴起阶段。

一、DDR2与DDR3运行内存的特点差异：

1、逻辑Bank总数

DDR2SDRAM包含4Bank和8Bank设计，实际上是为了满足未来大空间芯片的要求。DDR3很可能会在2GB容积中发展，所以Bank有8个开始的想法，并为未来的16个逻辑Bank做好充分的准备。

2、封装形式(Packages)

由于DDR3增加了一些功能，管脚层会增加。8bit处理芯片采用78球FBGA封装，16bit处理芯片采用96球FBGA封装，DDR2也有3种规格型号:60/68/84球FBGA封装。而且DDR3必须是白色封装形式，不能携带所有有害物质。

3、突发性长短(BL，Burst Length)

因为DDR3的预取是8bit，所以突然传输周期的时间(BL，BurstLength)对于DDR2和早期DDR架构系统软件，也固定为8，BL=也是常用的，因此，DDR3增加了4-bit BurstChop(突发基因突变)方法是将BL=4的载入实际操作和BL=4的载入实际操作合成BL=8的突发信息传输，然后根据A12地址线调整这种突发模式。

4、寻址时钟频率(Timing)

就像DDR2从DDR变化而延迟时间周期数增加一样，DDR3的CL周期时间也会逐渐增加。

4、寻址时钟频率(Timing)就像DDR2从DDR变化而延迟时间周期数增加一样，DDR3的CL周期时间将逐渐高于DDR2。DDR2的CL范围一般在2到5之间，而DDR3在5到11之间，并且有额外的延迟时间(AL)设计也发生了变化。DDR2时AL的范围为0-4，DDR3时AL有三种选择，分别为0、CL-1和CL-2。此外，DDR3还增加了时钟频率的主要参数——加载延迟时间(CWD)，这一主要参数将根据具体的输出功率来确定。

与DDR2相比，DDR3具有优势(桌面unbuffered) DIMM)：

1.速度相当快：prefetch buffer的总宽度从4bit提高到8bit，在同频率下传输数据量的关键是DDR2的两倍。

2.更省电:DDR3 Module的工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，与DDR2相同的频率更省电，组合SRT(Self-RefreshTemperature)作用，内部结构提高环境温度senser，根据环境温度实时控制升级率(RASR，Partial Array Self-Refresh功能)，实现节电目地。3.体积较高：Bank总数较多。根据JEDEC规范，DDR2应能达到单位元的4GB容量（即控制模块可达到8GB）。然而，根据许多DRAM制造商的总体规划，DDR2制造商可能会绕过这个4GB单位的元容积。换句话说，当DDR2的DRAM控制模块较大时，体积可能只达到4GB。DDR3控制模块容积将在1GB弹跳。现阶段规划一个控制模块到16GB没有问题(注意:这里指的是零售组装销售市场专用UnbufferedIMM，Server使用的FB和Registered不限于这个)。DDR3控制模块容积将在1GB弹跳。现阶段规划一个控制模块到16GB没有问题(注意:这里指的是零售组装销售市场专用UnbufferedIMM，Server使用的FB和Registered不限于这个)。