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三星和英特尔在2nm工艺上激烈竞争!追赶台积电

时间:2023-12-26 14:30:17 小新新
【新闻】来自韩国、中国台湾和美国的领先芯片制造商,在先进的2nm半导体工艺领域的竞争预计将在明年加剧。根据最新的行业报道,全球晶圆代工龙头企业中国台湾台积电(行

  【新闻】来自韩国、中国台湾和美国的领先芯片制造商,在先进的2nm半导体工艺领域的竞争预计将在明年加剧。根据最新的行业报道,全球晶圆代工龙头企业中国台湾台积电(行业第一)、韩国三星电子(第二)和重新进入晶圆代工市场的美国英特尔,都在加速开发先进的2nm工艺。

三星和英特尔在2nm工艺上激烈竞争!追赶台积电

  目前,最先进的量产技术是三星电子和台积电生产的3nm工艺。三星于去年6月开始量产3nm工艺,台积电则于今年年初开始量产。然而,据报道,由于对初始良品率的担忧和半导体市场的低迷,3nm工艺的市场需求并未达到预期,客户对这些高成本先进工艺的需求减少。除了台积电独家生产苹果PC用M3芯片和移动应用处理器A17之外,全球主要的无晶圆厂公司仍主要使用4nm工艺,而非3nm。

  与此同时,台积电的主导地位只增不减。根据市场研究公司TrendForce的数据,台积电在全球代工市场的份额从2021年第三季度的53.1%增至2023年同期的57.9%。相比之下,三星代工厂的市场份额同期从17.1%降至12.4%。

  尽管如此,英特尔和三星都更加注重在台积电之前开发先进工艺,而不是立即扩大订单。它们的战略是抢占下一个市场,而不是在价格上与行业领导者竞争。

  特别是英特尔,正在积极行动,重新进入代工业务。它计划在明年上半年量产20A 2nm级产品,并在下半年开发1.8nm级产品18A。去年9月,英特尔已经推出了18A半导体晶圆的原型。与此相关,荷兰半导体设备公司ASML近日在其官方社交媒体上宣布,将向英特尔交付全球首台High-NA极紫外(EUV)设备,预计将成为2nm以下工艺的关键工具。去年年初,英特尔率先与ASML签订了该设备的合同,领先于三星电子和台积电。

  三星的目标是明年开始量产改进后的第二代3nm工艺,并在2025年上半年实现2nm工艺的量产。台积电将2nm工艺的量产时间定为2025年下半年。