三星电子在美国设立实验室，开发新一代3D DRAM

据业内人士称，全球最大存储芯片制造商三星电子在美国新设了一个研究实验室，以开发新一代 3D DRAM。去年10月，三星电子透露，其正在为10纳米以下的DRAM准备新的3D结构，基于这一结构进一步提升单芯片容量，可以超过100千兆bit。此前，三星曾在2013年在业界首次成功实现了3D垂直NAND闪存的商用化。