SK 海力士开始量产 HBM3E 内存，本月下旬起向英伟达供货

DoNews3月19日消息，据IT之家报道，英伟达今日发布 AI 加速卡 Blackwell GB200，采用台积电 4NP 工艺制程，配备 192 HBM3E 内存，共有 2080 亿个晶体管，推理大语言模型性能比 H100 提升 30 倍，成本和能耗降低 96%。

SK 海力士今日发布新闻稿宣布其最新的超高性能 AI 内存产品 HBM3E 已开始量产，并将从 3 月下旬起向客户供货，距离 2023 年 8 月宣布开发仅隔了 7 个月。

据介绍，SK 海力士是首家实现量产 HBM3E 供应商，HBM3E 每秒可处理 1.18TB 数据，相当于在 1 秒内可处理 230 部全高清（FHD）级电影。

由于 AI 对内存的运行速度要求极高，HBM3E 相比前几代产品更注重散热方面的表现。SK 海力士表示，其 HBM3E 采用先进的 MR-MUF 技术，散热性能较上一代产品提高了 10%，从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。

MR-MUF 是一种将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。

除 SK 海力士外，其竞争对手三星电子和美光也已经在向 Nvidia 提供 HBM3E 样品，但它们还需要完成最终的质量认证测试，以确保产品能够达到出货质量要求，而 SK 海力士比预先安排的档期提前了至少两个月。

目前，英伟达已经占据 AI GPU 市场 90% 以上的份额；而在存储领域，SK 海力士已经占据全球 HBM 市场一半以上的份额，更是 100% 垄断了 128GB DDR5 这类大容量 DRAM 产品市场。