三星预计2024年初开始量产下一代NAND内存，已开始生产 HBM3 高性能内存芯片

三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRAM 芯片。

他表示，三星正在为 DRAM 开发 3D 堆叠结构和新材料；对于 NAND 闪存，三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。

他提到，“在即将到来的 10nm 以下 DRAM 和超过 1000 层的 V-NAND 芯片时代，新结构和新材料非常重要”。

当然，AI 芯片对三星电子来说也至关重要。该公司目前已经开始生产 HBM3 高性能内存芯片。此外，它还在开发下一代 HBM3E。

李政培说，三星希望为客户生产“定制”的 HBM 芯片。“我们正专注于恰当地应对与超级规模 AI 等新应用相关的要求”，“我们将继续推进内存芯片生产线，以克服多样化的需求和长内存芯片的交付周期。”

三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举办三星存储器技术日 2023 活动，届时这家韩国芯片制造商将推出一些最新的存储器芯片技术和产品，