英特尔首席执行官:CFET工艺和N2工艺不相上下

英特尔首席执行官:CFET工艺和N2工艺不相上下

英特尔首席执行官帕特·基辛格近日在接受采访时表示，英特尔的18A工艺和台积电的N2工艺不相上下。然而，在背面供电方面，英特尔更胜一筹，并得到了客户的广泛认可。

基辛格指出，英特尔在背面供电技术方面提供了更好的面积效率。这意味着更低的成本、更好的动力输出和更高的性能。他认为Intel 18A略微领先于N2，因为其晶体管更强大且功率传输能力更强。此外，与台积电相比，英特尔可以提供更有竞争力的价格优势。

目前，台积电、英特尔和三星都在加速推进代工业务。在最近的IEEE国际电子设备会议上，三家公司展示了CFET（ FET）晶体管解决方案。据IEEE 报道，英特尔是第一家展示CFET解决方案的代工厂，在2020年就公开推出了早期版本。在会议期间，英特尔介绍了使用CFET制造的最简单的电路之一，并重点介绍了逆变器的改进。

通过将每个器件的纳米片数量从两个增加到三个，并将两个器件之间的间隔从50nm减少到30nm，英特尔改善了CFET堆栈的电气特性。尽管专家预计大规模商业化需要7到10年的时间，但从现在开始，CFET技术可能会带来重大进展。

总之，在芯片制造领域，英特尔18A工艺与台积电N2工艺不相上下。而在背面供电方面，英特尔则显示出明显的优势，并得到了广泛认可。随着技术的进步和未来市场需求的变化，我们可以期待CFET技术在未来发挥重要作用。

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