能造2nm以下芯片！ASML首次公开展示High NA EUV光刻机：全球最先进

2月15日消息， 近日，光刻机巨头ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机。

据悉，一套High NA EUV光刻机的大小等同于一台双层巴士，重量更高达150吨，组装起来比卡车还大，需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输。

装机时间预计需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成。

根据爆料显示， High NA EUV的售价高达3.5亿欧元一台，约合人民币27亿元，它将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。

2023年12月，Intel已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机，台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年到货。

由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，这也意味着设备成本将大幅增加。

而明年即将量产的2nm依然可以依赖于现有的EUV光刻机来完成，并且成本并不会大幅增加，这也是台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机的关键。

去年12月，ASML官方社交媒体账号发布了一张现场照片。图可以看到，光刻机的一部分被放在一个保护箱中。箱身绑着一圈红丝带，正准备从其位于荷兰埃因霍温的总部发货。

“耗时十年的开创性科学和系统工程值得鞠一躬！我们很高兴也很自豪能将我们的第一台高数值孔径的极紫外光刻机交付给Intel。”ASML公司说道。

公开资料显示， NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点 。

一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助。

这样不但会大大增加成本，还会降低良品率。因此，更高数值孔径成为必需。