三星：已完成16层混合键合HBM内存验证 整体高度缩减

4月9日消息，据媒体报道，三星电子高管近日透露，该公司完成了采用16层混合键合 HBM 内存技术验证， 已制造出基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存样品，该内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。

混合键合技术，作为新型的内存键合方式，相较于传统工艺，展现出了显著的优势。

它摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，从而大大提高了工作效率。

这种创新不仅显著提升了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距，使得HBM模块的整体高度得到显著缩减，进一步提升了其集成度和便携性。