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曝三星HBM3芯片未通过英伟达测试:发热严重

时间:2024-05-24 16:01:23 小新新
5月24日消息,据媒体报道,由于发热严重,三星电子最新研发的高带宽内存HBM芯片在英伟达的测试中未能达标,因此无法被用于英伟达的AI处理器。据了解,受影响的产品

5月24日消息,据媒体报道,由于发热严重, 三星电子最新研发的高带宽内存HBM芯片在英伟达的测试中未能达标, 因此无法被用于英伟达的AI处理器。

据了解,受影响的产品涉及三星的HBM3芯片,这是目前人工智能图形处理单元中最常用的第四代HBM标准。

资料显示,HBM3具有更高的带宽和更低的延迟,由于HBM3芯片堆叠在一起,通过短距离、高密度的互连通道进行数据传输,带宽可以达到数百GB/s的级别。

HBM3为加快内存和处理器之间的数据移动打开了大门,降低了发送和接收信号所需的功率,并提高了需要高数据吞吐量的系统性能。