全球最新突破！液态金属存储器 FlexRAM 公布，氧化还原模拟二进制

最新突破！清华大学研究团队近日宣布，他们成功开发出一种名为FlexRAM的液态金属存储器，该成果已在《Advanced Materials（先进材料）》杂志上发表。FlexRAM是首款完全灵活的电阻式RAM设备，主要由悬浮并注入Ecoflex的液态金属镓液滴组成，用于存储1/0二进制值的电荷。

研究人员使用镓基液态金属实现FlexRAM的数据写入和读取过程，在模拟神经元超极化和去极化的溶液环境中，液态金属液滴通过氧化和还原机制实现。

清华大学FlexRAM研究人员之一刘静教授表示，这一突破性发现将传统柔性存储概念彻底改变，为未来软体智能机器人、脑机接口系统以及可穿戴/植入式电子设备的发展提供了理论基础和技术路径。

FlexRAM通过正偏压和负偏压分别定义信息“1”和“0”的写入，可实现数据的存储和擦除。该设备在断电后数据仍可保留长达43,200秒，并具有稳定的性能。

IEEE Spectrum也认为，随着FlexRAM技术的不断完善，它在软体机器人、脑机接口系统以及可穿戴/植入式电子产品中的应用前景十分广阔。

刘静教授长期从事液态金属和生物医学工程等领域的交叉科学研究，并在这些领域做出了突破性的贡献。